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元件参数资料
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参数目录41153
> SI3445DV-T1-GE3 MOSFET P-CH 8V 6-TSOP
型号:
SI3445DV-T1-GE3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET P-CH 8V 6-TSOP
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
SI3445DV-T1-GE3 PDF
标准包装
3,000
系列
TrenchFET®
FET 型
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
8V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
-
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
42 毫欧 @ 5.6A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
25nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
-
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
供应商设备封装
6-TSOP
包装
带卷 (TR)
查看SI3445DV-T1-GE3代理商
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